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KS C IEC 60747-2-2(2021 Confirm) 반도체 소자－개별 소자－제2부：정류 다이오드－제2절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드 (애벌란시 정류 다이오드 포함)의 개별 규격 지침 现行 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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KS C IEC 60747-3-1 반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제1절：신호 다이오드, 스위칭 다이오드 및 제어 애벌란시 다이오드의 개별 규격 지침 被代替 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

   电子版：暂无

KS C IEC 60747-3-2 반도체 소자－개별 소자－제3부：신호(스위칭 포함) 및 정전압 다이오드－제2절：온도 보상형 정밀 기준 다이오드를 제외한 정전압 다이오드 및 전압 기준 다이오드의 개별 규격 지침 被代替 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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KS C IEC 60747-6-1(2021 Confirm) 반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침 现行 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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KS C IEC 60747-6-2(2021 Confirm) 반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침 现行 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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KS C IEC 60747-6-3(2021 Confirm) 반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침 现行 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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KS C IEC 60747-7-1 반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제1절：고주파,저주파 증폭용 주위 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침 被代替 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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KS C IEC 60747-7-2 반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제2절：저주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침 被代替 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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KS C IEC 60747-7-3 반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제3절：스위칭용 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침 被代替 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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KS C IEC 60747-7-4 반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제4절：고주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침 被代替 发布日期 :  2006-12-11 实施日期 : 

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