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本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力,而这种失效是由于气压减小时,空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。
本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。
本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力,而这种失效是由于气压减小时,空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本项试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仅适用于军事和空间领域。
本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。