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本文件界定了表面化学分析中通用术语和谱学领域中的术语，附录A给出了非表面分析专业的部分常用术语。
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本文件界定了表面化学分析领域扫描探针显微术方面的术语，并给出了相关缩略语清单(见附录A)。
本文件适用于表面化学分析中扫描探针显微术相关的教学、科研、设计、制造、编写相关技术文件和书刊及技术交流。
本文件描述了采用辉光放电质谱法（GDMS)测量锗酸铋（BGO)晶体中杂质元素的方法。本文件适用于BGO晶体材料中除氢和惰性气体元素以外的其他杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 μg/g~1 000 μg/g（质量分数)。通过合适的标准样品校正，也适用于测量质量分数大于1 000 μg/g的杂质元素含量。
本文件描述了五种原子力显微术探针悬臂梁法向弹性常数的测量方法，测量的精度误差为5%~10%。每个方法分别隶属于尺寸法、静态实验法和动态实验法三类方法中的一种。方法的选择取决于分析所要达到的目的，便易性及现有的仪器条件。
本文件不适用于高于5%～10%的测量精度，如要获得高于5%~10%的测量精度，需要使用本文件未提及的更高精度的方法进行测量。
本文件描述了用氩气吸附静态容量法测定石墨烯粉体比表面积的方法。
本文件适用于测定具有Ⅱ型(分散的、无孔或大孔)和Ⅳ型(介孔，孔径2 nm~50 nm)吸附等温线的石墨烯粉体的比表面积。含有少量微孔、吸附等温线呈现出Ⅱ型和Ⅰ型相结合或Ⅳ型和Ⅰ型相结合的石墨烯粉体的比表面积测定亦适用。其他类型的碳基纳米材料，如碳纳米管、碳纤维、多孔炭等比表面积的测定参照使用。
本文件描述了分析人员利用全反射X射线荧光(TXRF)仪器开展水样测量的化学方法。根据良好的操作实践，本方法具有确定的准确度和精密度。本文件适用于开展大量样品常规分析且按照ISO/IEC 170251)运作的实验室。
本文件描述了水(例如，饮用水、地表水、地下水)中溶解性元素含量的测定方法。考虑到特定和额外发生的干扰，按照本方法也能测定废水和洗脱液中的元素。本文件不包括采样、稀释和预浓缩方法。
本方法能测定的元素会随着仪器X射线源的改变而发生变化。本文件未涉及健康、安全和商业因素。
测量范围取决于样品基体和遇到的干扰。对于饮用水和相对未被污染的水，大多数元素的定量限介于0.001 mg/L~0.01 mg/L。测量范围通常介于0.001 mg/L~10 mg/L的浓度区间，取决于测量元素和预先设定的要求。
附录B给出了钼靶X射线源、Ga作为校准内标时的TXRF分析水样的完整方法验证示例。
大多数元素的定量限会受到空白污染的影响，且主要依赖于所使用的实验室空气处理设施以及试剂的纯度和实验器具的清洁程度。
本文件描述了用阿贝折射仪和全自动折光率仪测定液体化工产品折光率的方法。本文件适用于透明或半透明、温度范围在20 ℃～60 ℃、折光率范围在1.300 0～1.700 0的液体化工产品的测定。
本文件规定了俄歇电子能谱仪动能能量标不确定度为3 eV时的校准方法，用于识别表面常规元素。另外，本文件还规定了一种用于确定校准周期的方法。本文件适用于直接模式或微分模式的仪器分辨率小于或等于0.5%，微分模式调制幅度的峰值为 2 eV，配有惰性气体离子枪或其他样品清洁方法，具有4 keV或更高束能电子枪的谱仪。
本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间，可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率，从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。
本文件规定了如何报告X射线光电子能谱的峰拟合及其结果。本文件适用于单个谱图或一组相关谱图的拟合，例如在深度剖析测试中采集获得的一组相关谱图。本文件提供了一个应报告的参数列表，以实现可重复的峰拟合或对多个谱进行拟合与比较。本文件不提供峰拟合的操作说明，也不提供应采用的拟合步骤。
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